第一百三十二章 提前截胡臺積電（4K） (第2/4頁)
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是暫時的。
在krf光源代替g線和i線的過程中，同樣有很多困難。”
g線是436n波長的光源，i線是365n波長的光源。
“相對於g線和i線，krf需要新的光刻膠和抗反射塗層材料來適應krf光源的特性。
同時krf要求更高效能的光學系統和光掩膜材料。當時需要採用更先進的透鏡和光學元件，以實現更高的數值孔徑和解析度。
此外，光掩膜材料也需要具有更低的散射和吸收特性。
krf還需要最佳化曝光過程，以提高成像質量。我們當時主要採用了雙重曝光和離焦曝光技術來降低光刻誤差。
讓我想想，對了，我們當時在研發krf光源的時候還要對控制進行考慮，因為krf實現了更高的解析度，所以需要更嚴格的製程控制要求。
需要對光刻膠塗覆厚度、曝光劑量、顯影過程等引數進行更精確的控制，以保證光刻成像質量和產量。
這麼多困難，我們照樣克服了，最終krf光源代替了g線和i線，成為了今天的最先進的製程光源。
同樣未來短波長的光源勢必然會代替長波長的光源，這是技術進步的必然。
我們剛剛討論的困難只是暫時的困難。”
asl、尼康和佳能只是暫緩了在arf上的投入，而不是停止了在arf技術路線上的投入。
後來asl實現彎道超車，也是因為他們選擇了正確的技術路線，arf光源以水為介質，在光刻膠上面抹一層水。
水的介質折射率是144，193奈米÷144≈134奈米，arf光源的波長進一步減少了。
asl能夠幹掉尼康和佳能，壟斷光刻機領域，他們在技術路線的兩個關鍵節點都做出了正確的選擇。
應該穩健的時候他們比尼康穩健，從而在光刻機市場站穩了腳跟。
應該激進的時候他們比尼康激進，從而佔據了高階市場，把高額利潤全部吃掉了，後續一直保持住了技術領先。
arf技術路線突破之後，arf的波長是193n，他最多能夠製造65n的晶片。
如果要製造40n製程以下的晶片，需要找到160n以下的光源。
尼康和佳能等企業選擇的是157n的f2鐳射，而asl找到了光源做介質直接一步到位了。
當然沒有加一層水那麼簡單。
“我關於arf技術路線一直認為是有辦法解決的。
首先是需要專門針對arf光源設計對應的光刻膠，其次是研發抗反射塗層，然後是改進光刻機的光學系統，找蔡司定製更先進的透鏡。
來實現更高的數值孔徑和解析度。
同時在曝光過程中進行最佳化。我專門針對arf光源設計了一套解析度增強技術。
包括輔助特徵、離軸照明、雙曝光技術等，用以改善圖案傳輸質量和提高解析度。”林本堅很興奮，難得見到這麼懂arf技術的同行。
其他懂這玩意的都簽了保密協議，林本堅和他們聊的很不盡興。
華國差的不僅僅是光刻機，差的是整個高階製造業，即便能造出光刻機，光學鏡頭也能卡你脖子。
不過蔡司是德意志企業而且沒上市，阿美利肯的長臂管轄管不到蔡司。
周新聽完之後感慨對方不愧是大師級人物，還沒有加入臺積電已經有完整的計劃了。
同樣一件事，有的人是紙上談兵，有的人是決勝千里之外。
華國價值觀以結果為導向，周新知道林本堅未來的成就，更別說林本堅說的這些都是絕對的乾貨。
又和林本堅探討了一番arf技術路線的未來後
