第一百三十二章 提前截胡臺積電（4K） (第1/4頁)
烏鴉一號提示您：看後求收藏（八零中文www.80zw.tw），接著再看更方便。
“你怎麼知道採用arf技術會造成更多的線邊波動和不規則性？
關於arf技術路線，在ieee的雜誌上有，但是無論是尼康還是佳能的工程師發表在上面的論文，都只說了好處沒有說缺陷。”林本堅驚訝地問。
周新說：“尼康和佳能為了誤導競爭對手，故意不談arf技術路線的缺點。
為的就是讓競爭對手也踩到這個坑裡去。
他們已經投入了大筆研發經費到arf技術路線，沒有找到辦法解決arf光源帶來的線邊波動和不規則性問題，所以他們認為其他競爭對手也解決不了這個問題。”
林本堅默默點頭：“沒錯。
就是這樣。”
周新繼續說：“在技術路線上誤導競爭對手，這不是積體電路領域的常規操作嗎？”
林本堅還是很好奇，他知道arf技術路線的缺陷，是因為他從事這個領域的研究超過二十年，他有大量的人脈。
由於保密協議的緣故，他的朋友無法直接告訴他，只能透過暗示的方式，向他透露arf技術路線有重大缺陷。
他對此也只是猜測，沒有證據的猜測。
為什麼周新能夠說得如此篤定，並且把arf技術路線的缺陷也說得如此清楚。
要知道有資格進行arf技術路線實驗的實驗室，也就那幾家光刻機公司。
周新戰術喝水之後說：“林伯，我知道你在想什麼，我是不是買通了尼康的技術人員，從他們那獲得了技術機密。
實際上arf技術路線的缺陷，這很容易就推理出來。
arf光源的波長為193奈米，相較於krf光源的248奈米波長更短。短波長光源在光刻過程中，顯然會受到更嚴重的散射、衍射和光學近場效應的影響，導致圖案傳輸過程中的線邊波動和不規則性增加。
同時使用arf光源的光刻技術用於更先進的製程節點中，這導致晶圓需要實現更高的解析度。
隨著尺寸的縮小，光刻過程中的圖案邊緣更容易受到光學近場效應、衍射和光刻膠吸收等因素的影響，從而導致線邊波動和不規則性。
這是基於物理知識的推論。”
林本堅鼓掌，“精彩的推演和敏銳的洞察力。
當時正明和我說他從燕大找到了天才學生的時候，我還在想到底有多天才，讓他那麼得意。
你在這方面的天賦比我猜測的還要更出色。
你剛剛說的還差了兩點。
一點是arf光源的波長更容易被光刻膠吸收，這會導致光刻膠的曝光不均勻，進而影響成像質量。所以需要專門針對arf光源設計專門的光刻膠。
但是專門針對arf光源設計光刻膠，來減少吸收呢，新光刻膠又很有可能會進一步造成線邊波動和不規則性。
另外採用arf來構建先進製程，會採用多重曝光技術、相位移光掩膜技術和偏振光技術等。
這些技術一定程度上又會增加線邊波動和不規則性。
所以造成線邊波動的原因比你猜測的更多。”
周新問：“可是有這麼多困難，為什麼前輩你還是看好arf路線？”
周新怎麼知道林本堅看好arf技術路線，因為林本堅這次在參加光學大會接受採訪的時候自己說的。
“是幫光刻機公司打掩護嗎？”
林本堅笑了：“我已經從ib離職了，ib這幾年也幾乎沒有在光刻機領域繼續投入了。
我又沒有為尼康或者佳能工作，為什麼要幫他們打掩護。
我當然是從我內心出發更加看好arf技術路線。
我們剛剛說的是arf的缺點，這些缺點只
