第五章 承上啟下的發現 (第2/2頁)
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來形容毫不誇張。
胡正明很欣賞周新，不僅僅是因為那封郵件，也是因為對方在溝通中表現出來的坦誠，以及這口流利的英語。
甚至在一些語氣詞裡都和他一樣。
周新在阿美利肯期間，主要溝通物件之一就是胡正明，口語主要就是在阿美利肯那幾年突飛猛進的。
口語表達上二人當然會有相似之處。
周新在電話那頭笑了笑：“好。”
“osfet模型可以將e與所有器件引數和偏置電壓相關聯，描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途，你是如何想到透過電路模擬的預測性來對osfet進行互連建模？”
跨越數千公里的電話線，兩頭不僅僅是地理上的距離，更是時間上的距離。
周新發給胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的論文，發表在2000年的ieee積體電路會議論文集上，在胡正明超過九百篇論文裡被引用次數排名第八。
雖然排名不是很高，但是卻起到了承上啟下的作用。
胡正明最大的貢獻是，將半導體的2d結構，研發最佳化出了3d結構，也就是ffet。
從1960年到2010年左右，基本的平面(2d)osfet結構一直保持不變，直到進一步增加電晶體密度和降低器件功耗變得不可能。
胡正明在加州大學伯克利分校的實驗室早在1995年就看到了這一點。
ffet作為第一個3dosfet，將扁平而寬的電晶體結構變為高而窄的電晶體結構。好處是在更小的佔地面積內獲得更好的效能，就像在擁擠的城市中多層建築相對於單層建築的優勢一樣。
ffet也就是所謂的薄體（th-body）osfet，這一概念繼續指導新裝置的開發。
它源於這樣一種認識，即電流不會透過矽表面幾奈米內的電晶體洩漏，因為那裡的表面電勢受到柵極電壓的良好控制。
ffet牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的矽鰭片，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋，在強柵極控制範圍之外沒有留下任何矽。ffet將漏電流降低了幾個數量級，並降低了電晶體工作電壓。它還指出了進一步改進的路徑：進一步降低厚度。
而電流不會透過矽表面幾奈米內的電晶體洩漏，因為那裡的表面電勢受到柵極電壓的良好控制，這一概念，正是osfet進行互連建模在實驗室進行復現後發現的。
周新不可能告訴胡正明，這是你自己發現的。
不過由於周新對於胡正明最重要的論文，都做過精讀，對於當時是如何思考，有自己的分析。
這些分析和二十年後的老胡交流過程中，也獲得了對方的認可。
