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臺 high-na euv光刻機、90臺euv光刻機和600臺duv光刻機。並且，臺積電最快可能在2028年推出的a14p製程中引入high-na euv光刻技術，目前仍在評估其應用於未來製程節點的成本效益與可擴充套件性。另外，英特爾ceo在近日的財報電話會議上宣佈已成功接收全球第二臺價值383億美元的high-na euv光刻機，該裝置即將進入英特爾位於美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支援公司新一代更強大的計算機晶片的生產。此前，英特爾已於2023年12月接收了全球首臺high-na euv光刻機，並在俄勒岡州晶圓廠完成了組裝。
手搓 euv 光刻機面臨著諸多巨大的難點和挑戰，主要包括以下方面：
1 極紫外光源的產生：euv 光刻機需要產生波長為 135 奈米的極紫外光，這需要極其精密的鐳射等離子體技術。該過程不僅能耗大，而且要保持高度穩定和可控，難度極大。
2 光學系統的精度要求：光線需要經過一系列反射、聚束和投射等操作，這要求光學元件具有極高的精度和低散射特性，例如能夠達到光刻機要求的多層膜反射鏡，目前只有德國老牌鏡頭製造廠家蔡司能夠拿出來，以實現 euv 波段的高反效率。此外，還需應用表面處理技術來降低反射和吸收等損失，確保最大程度地捕捉和利用極紫外光的能量。
3 真空環境的要求：由於極紫外光在大氣中會被吸收和散射，光刻機必須在真空環境中工作，這增加了系統的複雜度，也對系統穩定性和材料效能提出了嚴苛要求。
4 材料耐久性和塗層技術：極紫外光的能量較高，會對光刻機的光學元件和感光材料等元件產生損害，因此需要開發和應用耐久性高的材料和塗層技術。
5 光刻膠的研發：euv 光刻膠需要具備良好的穩定性和可靠性，以避免產生任何不良反應或副作用。目前晶片生產所用的光刻膠，高純化學品多數是日本的專利產品，這些原料要求極高的精度和純度。
6 複雜的系統整合：euv 光刻機是一個極其複雜的系統，涉及眾多高精密的元件和子系統，需要將它們高度整合並協同工作，對系統設計、製造和除錯的要求非常高。
7 技術和資金投入：其研發需要大量的資金、頂尖的科研團隊以及長期的技術積累和持續投入。
8 產業鏈的支援：光刻機的製造涉及多個領域的供應商和合作夥伴，需要完整且強大的產業鏈支援，包括光源、光學元件、控制系統、真空裝置等各個方面。
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