第四十七章 新的目標 (第1/2頁)

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之後的幾天，許秋又做了兩批器件，一批是重複pen基片的，另一批是在同樣實驗條件下玻璃基片的。

ptb7-th體系中，pen基片的最高效率提高了一點點，達到了820。

而玻璃基片下的標準樣品，最高效率可達1026。

這個數值，相比於他之前在模擬實驗室中得到的1068，稍差一些，可能是器件結構不同造成的。

pen基片不能高溫熱退火，所以用的是pedot:pss傳輸層的正常結構，而之前使用的是氧化鋅傳輸層的倒置結構。

此外，雖然重點在於ptb7-th體系，但是許秋也做了p3ht體系。

主要是為了讓文章資料更加豐滿一些，同時也說明這種柔性襯底的加工方式具有普適性。

再之後，許秋完成了各種表徵測試，包括光吸收光譜、熒光光譜、celiv測試等，還拍了一張用兩隻鑷子彎曲pen基片器件的照片。

在實驗進行的間隙，許秋也在同步以論文的形式，寫專案的結題報告。

這個時候，他前期閱讀了大量的文獻的優勢就體現出來了，再加上他還可以隨時向學姐請教。

因此中文論文寫起來壓力並不大。

正文部分，許秋先將四組器件編號，pen基片的ptb7-th、p3ht體系，分別為1、3，玻璃基片對應的體系分別為2、4。

然後，主要就是比較玻璃和pen這兩種基片的不同，對器件效能的影響，並分析其可能的原因。

像是光學效能，光吸收光譜和熒光光譜都是直接測有效層薄膜的，資料對兩種基片的器件都是一樣的。

所以不需要比較，直接將得到的圖片資訊轉化為文字就可以了。

比如：1、2有效層共混薄膜的主要光吸收範圍在550-750奈米，最高吸收峰位置在680奈米處，3、4的主要光吸收範圍在300-600奈米，最高吸收峰位置在530奈米處。

熒光光譜則相對複雜一些，兩種體系都需要分別測試給體、受體單獨組分薄膜和共混薄膜的熒光光譜，然後計算熒光淬滅效率。

不過，同樣是看圖說話，也沒什麼難度。

而像是celiv，則是對電池器件進行表徵，那麼不同樣品編號的器件測試的結果就會有所不同，就需要進行比較分析。

許秋的測試結果：

1的載流子遷移率是12e-4厘米平方每伏秒，2是25e-4厘米平方每伏秒，顯然2更高一些，但兩者在同一數量級。

因為2對應的電池器件效能更好，就可以解釋為，載流子遷移率的提高導致了器件效能的提高。

進一步，還可以繼續分析下去，比如遷移率的提高會減小電荷複合情況，增大短路電流密度等等。

但如果反過來，假如他的測試結果為：

2是12e-4厘米平方每伏秒，1是25e-4厘米平方每伏秒。

那麼就可以一筆帶過，說兩者載流子遷移率相差不大，在同一個數量級，或者說載流子遷移率對器件光電效能的影響不大。

許秋最開始閱讀文獻的時候，就時常疑惑，對於同樣的一個實驗現象，為什麼有的人說是xx原因，有的人說是yy原因，還有人說是xxyy原因，難道學術界裡就沒有一種統一的觀點嗎？

後來，隨著文獻閱讀量的提升，他逐漸明白了其中的道理。

材料，或者說所有的實驗學科，所有對實驗結果的解釋其實都是猜想，理論永遠是落後於實驗的。

不可能憑空創造一個完美的理論模型，如果那樣的話，直接開幾臺超算，算出最優結果就行了。

真